१०० किलोवाट सानो धातु इस्पात ट्यूब उत्पादन लाइन सबै एक क्याबिनेट igbt hf वेल्डर मा

यो रेक्टिफायर र इन्भर्टर एकीकृत चेसिस संरचना डिजाइन, जो एक सानो क्षेत्र कब्जा र स्थापना गर्न सजिलो छ अपनाउँछ।

तीन-चरण पूर्ण-तरंग सुधार + आईजीबीटी पलटनेवाला शक्ति नियमन टेक्नोलोजी को उपयोग गरी, लहर कारक 0.55 भन्दा कम छ, र उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर को लागी तांबे हानि र टेप हानि, र पलटनेवाला दक्षता कम गर्न को लागी स्टेप डाउन ट्रान्सफार्मर प्रतिस्थापन गर्न को लागी प्रयोग गरीन्छ। उच्च छ। क्याबिनेट को बीच कुनै तारि,, लाइन हानि को नष्ट, सम्पूर्ण मिसिन अघिल्लो पुस्ता उत्पादनहरु को तुलना मा अधिक ऊर्जा कुशल छ।